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10月29日晚,中微公司(688012.SH)在盘后发布第三季度报,营业收入和净利润均呈现较快幅度增长,研发投入持续加码。
中微公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。本季度,中微公司营收20.60亿元,同比增长35.96%;归属于上市公司股东扣非净利润3.30亿元,同比增长53.79%。前三季度,营业收入55.07亿元,同比增长36.27%;归属于上市公司股东扣非净利润8.13亿元,同比增长10.88%;新增订单76.4亿元,同比增长约52.0%
今年前三季度,中微公司归属于上市公司净利润9.13亿元,同比下降21.28%。中微公司在财报中解释,除了增加研发投入外,2023年公司出售了部分拓荆科技的股票,获得净收益约4.06亿元,而2024年无该项股权处置收益;前三季度获得了非经常性损益投资收益,较去年同期增加约1.64亿元。
前三季度,中微公司研发投入15.44亿元,同比增长95.99%,研发投入占营业收入比例为28.03%,该比例较去年同期增加8.54%。此前在接受投资者调研时,该公司表示海外大型的成熟半导体设备公司,他们的研发投入比例一般在10%~15%左右,随着收入增长,该比例将下降。
目前,中微公司的离子体刻蚀设备已批量应用在国内外一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及更先进制程及先进封装中,并且MOCVD设备在行业客户的生产线上大规模投入量产。
根据Gartner统计的数据,2013年至2023年,半导体前道设备中,干法刻蚀设备市场年均增速超过15%,化学薄膜设备市场年均增速超过14%,这两类设备增速远高于其他种类的半导体设备。两者在未来先进制程,3D工艺等领域发挥更加关键的作用。
中微公司认为,由于光刻机的波长限制,更微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工。同时,存储器件从2D至3D的转换的过程中,需要大量采用多层材料薄膜沉积和极高深宽比结构的刻蚀
目前,公司正在对这两大领域持续发力,其等离子刻蚀机持续获得海内外客户的认可。今年前三季度,刻蚀设备收入为44.13亿元,较上年同期增长约53.77%;刻蚀设备新增订单62.5亿元,同比增长约54.7%。三季报显示,该公司实现在先进逻辑和存储器件制造中,关键刻蚀工艺高端产品的新增付运量显著提升,并且在先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺,和先进存储器件超高深宽比刻蚀工艺方面,实现量产。
中微公司还持续在CVD(化学气相沉积设备)发力,着力推进研发MOCVD设备(金属有机化合物化学气相沉积设备),布局用于碳化硅和氮化镓基功率器件应用的MOCVD市场,并在Micro-LED和其他显示领域的专用MOCVD设备开发上取得进展,几款已付运和即将付运的MOCVD新产品正在陆续进入市场。此外,新产品LPCVD设备(低压化学气相设备)实现首台销售,收入0.28亿元,前三季度LPCVD新增订单3.0亿元,新产品启动放量。
前三季度,公司共生产专用设备1160腔,同比增长约310%,对应产值约94.19亿元,同比增长约287%。
此外,公司EPI设备(在衬底上生长出的半导体薄膜设备)已顺利进入客户端量产验证阶段,已完成多家逻辑器件与MTM器件客户的工艺验证。
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